Производитель Номер продукта:
BSP125 E6327
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP125 E6327-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
12850456
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP125 E6327 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 94µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSP125E6327T
BSP125E6327
SP000011100
BSP125 E6327-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSP125H6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
27360
Номер части
BSP125H6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.28
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF10N50CF
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
FDS4465_SN00187
MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
AON6554
MOSFET N CH 30V 36A 8DFN
